高溫電爐生產多晶矽的核（hé）心設備，其采用鍾罩式反應（yīng）器高溫電爐，將混合後的SiHCl3和H2從反應（yīng）器底部的眾多噴口噴入，SiHCl3和H2反應，非均向成核生成多晶矽沉積（jī）在矽芯表麵（miàn），逐漸長大成矽棒（bàng），生長過程中矽棒（bàng）表麵溫度1050~1100C。在（zài）非均（jun1）向成核進（jìn）行的同時，SiHCl3和H2也（yě）發生（shēng）均向成核反應（yīng）生成無定型矽粉，反應的（de）程度主要取決於溫度、配（pèi）比等方麵的因（yīn）素。為避免均向成核產生大量的矽粉，流體采（cǎi）用混流，即噴嘴引入冷物流持續噴向高溫（wēn）的矽棒表麵，避免局部溫度過（guò）高引發爆（bào）米花和大量矽（guī）粉的產生，這種模式也決定了還原爐噴口直噴、氣流底進底出的現有模式。也正（zhèng）因為此，高溫進料（liào）（進料溫度高會引起大量矽粉）及平推式反應模型（比如噴口完全側噴、氣流底進頂出）都是會失敗的。

  高溫電爐流體力學模擬是個複雜的計算過程，小編為了簡化說（shuō）明問題，把複雜的計（jì）算和抽象的模擬舍棄，僅以幾個（gè）氣體射流基本公式來推理噴口流速的合理取值。

  氣體射流是（shì）流體力（lì）學基本的模型，當氣體從孔口或管嘴以一定的流速（sù）噴出後，由於射流為紊流流態，紊流的橫向脈動造成射流與周圍氣（qì）體發生動量交換，從而把（bǎ）相鄰的靜止流體卷吸到射流中來，兩者一起向前運動，於是射流的過流（liú）斷麵沿程不斷擴大（dà），流量不斷增加。