隨著現代微電（diàn）子技術的（de）創新，電子設備向著微型化、集成化、高（gāo）效率和高可靠性等方向發展，電子係統的集成度越來越（yuè）高，功率密度越來越大，對封裝材料的要求也越來越高。高溫電爐升降式箱式電動加熱爐功率微電（diàn）子封裝除承擔熱耗散外，還必須具有與芯片的材質（Si、GaAs）相匹（pǐ）配的線脹係數以（yǐ）及強度高、結構質量輕、工藝性好、成本低等特點。

高溫電（diàn）爐升降式箱式（shì）電動加熱爐陶瓷（cí）基板由陶瓷（cí）基片和布線金屬（shǔ）層兩部（bù）分組成，金屬布線是（shì）通過在陶瓷基片上濺射、蒸發沉積或印刷各種金屬（shǔ）材料來製備薄膜和厚膜電路。常用的陶瓷基片材料有氧化鋁、氮化鋁、氮化矽、氧化鈹等等，製備陶瓷基板的（de）方法有（yǒu）很多種，根據封裝結構和應用（yòng）要求（qiú），陶瓷基板可分為平麵陶瓷基板和多層陶瓷基板兩大（dà）類，按照（zhào）工藝分為DPC、DBC、AMB、TPC、TFC、LTCC、HTCC等。